ギガフォトン株式会社：About Us：ニュース・イベント

■ ニュース・イベント

ギガフォトンが発行するプレスリリース、参加するイベント情報をご紹介します。

プレスリリース
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2008年7月7日
	ギガフォトン、ArFレーザ「GigaTwin」プラットフォームのコストを削減する新技術を独自開発新技術導入により、すべてのGigaTwinプラットフォーム製品でランニングコストとダウンタイムの大幅低減を実現ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/）は、同社のArFレーザプラットフォームであるGigaTwin向けに、ランニングコストとダウンタイムを大幅に削減する新技術を独自開発したと発表しました。ギガフォトンが独自開発した新技術は「GRYCOS」、「MPL」、「TGM」の3つで、導入によりレーザチャンバ、狭帯域化モジュール、ガス交換に関わるコストもしくはダウンタイムが、従来と比較して40～80%削減されるものと期待されます。続きを読む

2008年4月14日
	ギガフォトン、同社100台目のArFレーザ光源が設置される最先端リソグラフィアプリケーションに対応するレーザ光源メーカーとして半導体メーカーとファウンドリから確固たる信頼を獲得ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/）は、同社が出荷した通算100台目となるGigaTwin ArFレーザ光源が、台湾の半導体製造ファウンドリ企業に設置されたと発表しました。今回設置されたGT40Aは、この企業の次世代リソグラフィアプリケーション向けの最先端御ArFリソグラフィ装置に組み込まれ、65nmプロセスでのデバイス生産に使用される予定です。続きを読む

2008年2月25日
	ギガフォトン、100%出資米国法人"Gigaphoton USA Inc."を設立米国市場のエンドユーザー増加に伴う、カスタマサポート事業を強化ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、100%出資の米国法人Gigaphoton USA Inc.(本社: オレゴン州ビーバートン)を設立し、2008年4月より業務を開始すると発表しました。ギガフォトンは米国法人を通して、装置メーカー各社と共に新規エンドユーザー開拓を積極的に展開するほか、米国内3ヵ所のサポート拠点を中心に、既存ユーザーに対する現地サポート体制確立に取り組みます。続きを読む

2008年2月25日
	ギガフォトン、新製品「GT62A」を出荷開始 ArFエキシマレーザ「GTシリーズ」の最新モデルとして、90ワットの高出力と共にダウンタイム低減・メンテナンス費用削減に大きく貢献ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、液浸の二重露光(ダブルパターニング)に対応した露光装置用の光源として、インジェクションロック技術を搭載したArF（フッ化アルゴン）エキシマレーザの新製品「GT62A」（発振波長: 193 nm、最大出力: 90ワット、発振周波数: 6,000 Hz）の出荷を開始したと発表しました。初号機はすでに同社顧客である露光機メーカーに納入されており、ニーズが高まる液浸二重露光装置の導入をサポートしています。続きを読む

イベント情報

「SEMICON TAIWAN 2008」に出展

ギガフォトンは、9月9日（火）から11日（木）に台湾の台北にあるTaipei World Trade
Centerで開催される「SEMICON TAIWAN 2008」に出展し、GPIレーザ（ArF、KrF）の信頼性
を紹介する一方で、最新鋭の ArFエキシマレーザGT62Aなど、主力製品のパネル展示を行
う予定です(小間番号 : B-872)。

「SPIE Advanced Lithography 2008」で論文発表、出展

ギガフォトンは、2月24日(日)～2月29日(金)に開催される「SPIE Advanced Lithography 2008」（会場: 米サンノゼ・コンベンション・センター、サンノゼマリオットホテル）で次の論文発表を行います（ギガフォトンが参画しているEUVAの発表も含まれています）：

■ 論文発表 2月26日（火）、4:50 PM - 5:10 PM
	CO₂ laser-produced Sn-plasma source for high-volume manufacturing EUV lithography (Paper Presentation) Paper 6921-29 of Conference 6921 Authors(s): Akira Endo, Yoshifumi Ueno, Georg Soumagne, Masaki Nakano, Hiroshi Komori, Hideo Hoshino, Takashi Suganuma, Takayuki Yabu, Takeshi Asayama, Krzysztof Nowak, Masato Moriya, Hiroshi Someya, Tamotsu Abe, Hakaru Mizoguchi, Akira Sumitani, Koichi Toyoda, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan)
■ 論文発表・ポスター展示、2月28日（木）、 6:00 PM - 8:00 PM
	Reliable high-power injection locked 6kHz 60W laser for ArF immersion lithography （ポスター展示） Paper 6924-198 of Conference 6924 Authors(s): Takahito Kumazaki, Ryoichi Nohdomi, Hiroaki Nakarai, Takashi Matsunaga, Kouji Kakizaki, Junichi Fujimoto, Hakaru Mizoguchi, Gigaphoton Inc. (Japan) High-power and high-energy stability injection lock laser light source for double exposure or double patterning ArF immersion lithography （論文発表） Paper 6924-199 of Conference 6924 Authors(s): Masaya Yoshino, Hiroaki Nakarai, Takashi Matsunaga, Junichi Fujimoto, Ryoichi Nohdomi, Kouji Kakizaki, Taku Yamazaki, Hakaru Mizoguci, Gigaphoton Inc. (Japan) Magnetic debris mitigation of a CO₂ laser-produced Sn plasma Paper 6921-113 of Conference 6921 Author(s): Yoshifumi Ueno, Georg Soumagne, Masato Moriya, Takashi Suganuma, Takayuki Yabu, Tamotsu Abe, Hirosh Komori, Akira Endo, Akira Sumitani, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) Sn-droplet target development for laser-produced plasma EUV-light source Paper 6921-114 of Conference 6921 Author(s): Masaki Nakano, Takayuki Yabu, Hiroshi Someya, Tamotsu Abe, Georg Soumagne, Akira Endo, Akira Sumitani, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) LPP EUV-light source employing high-power CO₂ laser Paper 6921-115 of Conference 6921 Author(s): Hideo Hoshino, Takashi Suganuma, Tamotsu Abe, Takeshi Asayama, Krzysztof Nowak, Masato Moriya, Akira Endo, Akira Sumitani, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan)

編集者各位：ギガフォトンは、SPIE Advanced Lithography 2008において、出展を予定しています。ギガフォトン及び同社の技術と製品に関する詳細につきましては、小間番号115 にお立ち寄りください。

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