ギガフォトン

ニュース・イベント

ギガフォトンが発行するプレスリリース、参加するイベント情報をご紹介します。

プレスリリース

2007年12月3日

ギガフォトン、新製品「GT62A」を発表
ArFエキシマレーザ「GTシリーズ」の最新モデルとして、90ワットの高出力と共に
ダウンタイム低減・メンテナンス費用削減に大きく貢献

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、液浸のダブルパターニングに対応した露光装置用の光源として、インジェクションロック技術を搭載したArF（フッ化アルゴン）エキシマレーザの新製品「GT62A」（発振波長: 193 nm、出力: 90ワット、発振周波数: 6,000 Hz）を開発したと発表しました。すでにレーザテストを終えており、ギガフォトンでは2008年中頃から液浸露光装置に搭載されて半導体工場での稼動が開始されると見込んでいます。
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製品イメージは以下よりダウンロードできます：
 allow GT62A Photo1 (Jpeg, 523KB)
 allow GT62A Photo2 (Jpeg, 436KB)

2007年12月3日

東芝の四日市フラッシュメモリ工場にギガフォトンの最先端レーザ導入
最先端のArF液浸露光による量産へ大きく貢献

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、同社の液浸露光装置用の最先端エキシマレーザ光源であるGT61Aが東芝のフラッシュメモリ量産基地である四日市工場に設置されたと発表しました
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2007年9月28日

ギガフォトンの「GT61A」エキシマレーザ、
韓国大手半導体メーカーが 次世代液浸リソグラフィアプリケーションに採用

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、同社のフッ化アルゴン（ArF）エキシマレーザの最新モデル「GT61A」を搭載した最先端液浸リソグラフィ装置が、韓国の大手半導体メーカーに設置され、最先端プロセス技術開発に使用されることを発表しました。ギガフォトンでは、2007年末までにはこのレーザを搭載した液浸リソグラフィ装置が量産用に採用されると期待しています。
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2007年6月28日

ギガフォトンの出荷累計500台目レーザ光源装置が、韓国サムスン電子に設置
次世代リソグラフィアプリケーションに取り組むギガフォトンの技術が、業界で支持を伸ばしていることを証明

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、同社の出荷累計500台目となるエキシマレーザ光源が、韓国サムスン電子に設置されたと発表しました。これは、ギガフォトンのOEM顧客の最先端ArFリソグラフィ装置に組み込まれたGT40Aが納入されたもので、次世代リソグラフィアプリケーションに不可欠な技術として、ギガフォトンの光源技術が業界で長年にわたり圧倒的な支持を受け採用されていることを示すものです。
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2007年1月31日

ギガフォトン、本社事業所にクリーンルームを新設
生産能力向上と共に、カスタマーサポート体制の強化を目指す

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、http://www.gigaphoton.com/ ）は、本社事業所(栃木県小山市)に建設した新棟内のクリーンルームが完成し、2月1日より稼動を開始すると発表しました。新クリーンルームには、同事業所内の既存工場から研究・開発施設を移設・拡充するとともに、レーザ装置のメンテナンストレーニングのためのスペースを併設します。これにより、既存工場を完全に生産活動に振り向け、生産能力を現在の1.5倍以上に高める計画です。
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イベント情報

「ギガフォトンセミナー」開催

SEMICON JAPAN 2007出展にあわせて、プライベートセミナーを開催します。今回は、「最先端リソグラフィの課題と光源からのソリューション」をテーマに、国外大手デバイスメーカーのトップ技術者の方を講師にお迎えし、リソグラフィ技術の最前線についてお話いただくほか、ギガフォトンがご提案する技術面・製品面でのソリュー ションをご紹介します。


日　時 2005年12月7日(金)、15:00～17:00 (17:00～夕食及び歓談)
会　場 幕張東京ベイ幕張「幕張ホール」
テーマ 「最先端リソグラフィの課題と光源からのソリューション」

プログラム(同時通訳あり)
15:00-15:15 「開会ごあいさつ」ギガフォトン株式会社　代表取締役社長　渡辺裕司
15:15-15:45

東芝のリソグラフィ戦略と露光光源への要求
株式会社東芝セミコンダクター社、プロセス技術推進センター、
半導体プロセス開発第二部
部長　工学博士　東木達彦
15:45-16:15 EUVの現状
Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor Business
Senior Engineer
Dr Goo, Doohoon
16:15-16:40 EUV光源の現状
LPP光源開発を中心として光源研究室長
EUVA 住谷明
16:40-17:00 ギガフォトンDUVレーザロードマップ
ギガフォトン株式会社
マーケティング室
井上宏俊
17:00 - 夕食及び歓談

セミナーお問い合わせ
ギガフォトン株式会社 営業本部第一営業部　担当: 松井　優達
TEL: 0285-28-8415 FAX: 0285-28-8439

「SEMICON JAPAN」に出展

ギガフォトンは、12月5日（水）～7日（金）に幕張メッセ(日本コンベンションセンター)で開催される「SEMICON JAPAN 2007」に出展し、主力製品のパネル展示を行う予定です(小間番号 :4D-719)。

2007年3月19日

SPIE Advanced Lithography 2007 速報
SPIEでの論文発表で業界がギガフォトンに熱視線

2月26日から3月２日迄、カリフォルニア州サンノゼで開催された、SPIE Advanced Lithography 2007において、ギガフォトンは、世界初のHyper N.A.液浸露光機に対応する6kHz露光用インジェクションロックArFエキシマレーザ「GT61A」とEUVAのメンバーとして開発中のEUV光源に関する論文発表で、同社の業界をリードする革新技術に世界中から集まった多くの研究者や業界関係者から熱い視線を浴びました。

  • 高N/A ArF液浸リソグラフィ装置向け極狭帯域インジェクションロックレーザ「GT61A」、スペクトル性能、0.3 pm以下を安定した制御で実現
    >> 論文、プレゼン資料 SPIE 6520-75
  • EUVで40 Wパワーを達成、ウェーハ40枚/時間のスループットに匹敵（EUVA活動成果）
    >> 論文、プレゼン資料 SPIE 6517-23
  • CO2レーザ励起によるLPPのデブリ軽減技術を開発、ランニングコストの低減とミラーの長寿命化を実現（EUVA活動成果）
    >> 論文、ポスター SPIE 6517-123
  • フィールドで実証された45 nmノード液浸リソグラフィ向け高出力インジェクションロック6 kHz/60 Wレーザ「GT60A」の信頼性
    >> 論文、ポスター SPIE 6520-111
  • ギガフォトンが開発した小フィールド露光装置（SFET）用光源（EUVA活動成果）
    >> 論文、プレゼン資料 SPIE 6517-124

「SPIE Advanced Lithography 2007」で論文発表、出展

ギガフォトンは、2月25日(日)～3月2日(金)に開催される「SPIE Advanced Lithography 2007」（会場: 米サンノゼ・コンベンション・センター、サンノゼマリオットホ テル）で 次の論文発表を行います。（ギガフォトンが参画しているEUVAの発表も含まれて います)

■ 論文発表　2月28日（水）、8:00 am - 8:20 am、Session 6

Laser-produced EUV light source development for HVM, A. Endo, H. Hoshino, T. Ariga, T. Miura, Y. Ueno, M. Nakano, T. Asayama, H. Komori, G. Soumagne, H. Mizoguchi, A. Sumitani, K. Toyoda, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) [6517-23]

■ ポスター展示 3月1日（木）、5:30 pm - 8:00 pm

Reliable high-power injection locked 6kHz 60W laser for ArF immersion lithography, H. Watanabe, S. Komae, R. Nohdomi, T. Yamazaki, H. Nakarai, J. Fujimoto, Gigaphoton Inc. (Japan); T. Matsunaga, K. Kakizaki, Komatsu Ltd. (Japan); H. Mizoguchi, Gigaphoton Inc. (Japan) [6520-111]
CO2 laser and Sn-droplet target development for EUVL, A. Endo, H. Hoshino, T. Ariga, T. Miura, Y. Ueno, M. Nakano, T. Asayama, H. Komori, G. Soumagne, H. Mizoguchi, A. Sumitani, K. Toyoda, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) [6517-122]
Characterization of various Sn targets with respect to debris and fast ion generation, Y. Ueno, H. Hoshino, T. Ariga, T. Miura, M. Nakano, H. Komori, G. Soumagne, A. Endo, H. Mizoguchi, A. Sumitani, K. Toyoda, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) [6517-123]
Small field exposure tool (SFET) light source, T. Abe, T. Suganuma, M. Moriya, T. Yabu, T. Asayama, H. Someya, Y. Ueno, G. Soumagne, A. Sumitani, H. Mizoguchi, Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (Japan) [6517-124]

■ 論文発表　3月2日（金）、11:35 am - 11:55 am、Session 15

Ultra-narrowed injection lock laser light source for higher NA ArF immersion lithography tool, M. Shimbori, Ushio Inc. (Japan); T. Matsunaga, T. Suzuki, K. Kakizaki, Komatsu Ltd. (Japan); S. Tanaka, M. Yoshino, Gigaphoton Inc. (Japan); T. Kumazaki, S. Nagai, Y. Kawasuji, H. Umeda, Komatsu Ltd. (Japan); H. Nagano, Y. Sasaki, Ushio Inc. (Japan); H. Taniguchi, H. Mizoguchi, Gigaphoton Inc. (Japan) [6520-75]

 

また、 最新鋭ArFエキシマレーザGT61A を始めとする、主力製品のプレゼンテーション展示を行う予定です（小間番号番号200）。