65nm以降の技術ノードに対応する新製品、4kHzArFエキシマレーザGT40A。

露光装置用光源として、世界で初めてインジェクションロック技術を採用し、従来困難とされていた、狭いスペクトルと高出力の両立を可能としました。また、光学系へのダメージを軽減する、低ピークのパルスエネルギーを発振することにより、業界トップレベルの低ランニングコストを実現。さらに、新開発の高度自己診断機能 (self diagnosis) を搭載しているほか、モジュール交換性などサービス性を大幅に改良し、高信頼性・高稼働率を実現しています。

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GT40Aの特長

1. インジェクションロックレーザー

量産機として業界初のインジェクションロック技術(*)を採用し、45 Wの高出力と、半値全幅では0.2ピコメートル、E95では0.5ピコメートルという、業界最高水準のスペクトル線幅のDUV光を、高度に安定して発振することができます。また、レーザ及び露光装置の光学系へのダメージを軽減する、低ピークのパルスエネルギーを実現しています。

(*)インジェクションロック技術とは、非常に狭いスペクトル幅にチューニングし発振させた低出力のレーザ光（Master）を、大出力のレーザ共振器（Amplifier）に注入し、レーザ共振により増幅する技術で、従来困難とされていた狭いスペクトルと高出力の両立を可能とする技術です。

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2. 業界トップレベルの低ランニングコスト

インジェクションロック技術により、レーザ光学部品への負荷が低減され、また、システム構成をリファインすることにより消耗品（モジュール）の種類・交換頻度が大幅に低減されました。その結果、業界トップレベルの低ランニングコストを実現しています。

3. 高信頼・高稼働設計

新開発の高度自己診断機能(self diagnosis)を搭載しているほか、モジュール交換性など、サービス性を大幅に改良し、半導体工場で必須とされる高信頼性・高稼働率を実現しています。

 

Major Specification (*)	主仕様
		GT40A
Wavelength (nm)	発振波長 (nm)	193
Power (W)	平均出力 (W)	45
Pulse Energy (mJ)	パルスエネルギー (mJ)	11.25
Max Repetition Rate (Hz)	発振周波数 (Hz)	4000
Bandwidth (FWHM, pm)	スペクトル線幅(FWHM, pm)	0.2
Bandwidth (E95, pm)	スペクトル幅 （95 %エネルギー積算、E95, pm）	0.5
各仕様値は代表値です。
Durability (Expected Life)	モジュール保守間隔
		GT40A
MO Chamber (Bpls)	レーザチャンバ交換(発振段)	20
PO Chamber (Bpls)	レーザチャンバ交換(増幅段)	30
PO Front Module (Bpls)	POフロントミラー交換	30
PO Rear Module (Bpls)	POリアミラー交換	30
Monitor Module (Bpls)	モニターモジュール交換	30
F2 Trap Module (cycles)	フッ素トラップ交換	200