EUV光源は高温、高密度のプラズマを生成し、このプラズマから発生する10-15 nmの波長領域の極端紫外光(Extreme Ultra Violet)を取り出すものです。プラズマを発生する方法として、特定の物質に強いレーザー光を集光してプラズマを作る方法「Laser Produced Plasma LPP法」と、電極間に大電流パルスを流してプラズマを作る方法「Discharge Produced Plasma DPP法」の2つの方式があります。プラズマから出た光は集光ミラーで集められ、中間集光点と呼ばれる点を通って照明光学系で整形されて反射型のマスクを照明します。マスクで反射された光は結像光学系でウエハ上のレジストに縮小投影露光されパターンを形成します（図1）。現在このEUV露光も研究室段階の技術で、工場での半導体生産のためには数多くの工学的課題を解決する必要があります。特に光源の強度は、まだ世界でも短時間の間40-50 W程度が実現されているに過ぎません。向こう3年以内に100 Wレベルで、数ヶ月間メンテナンスせずに使える光源を実用化することが期待されています。

図1 EUV露光装置の模式図(EUVA) ²⁾
出典： EUVAのご好意による

＜参考文献＞

1. 「小特集：リソグラフィ用EUV（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」核融合研究、第79巻3号（2003年3月）219-2621
2. EUVAホームページよりhttp://www.euva.or.jp/index.html

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