10-13nmの極端紫外（Extreme Ultra Violet：EUV）光源と縮小投影反射光学系（Catadioptric System）を組み合わせた露光装置は、 NTTの木下氏らの提案により日本で研究が始められました¹⁾。1997年以降、米国でEUVLLC (EUV Limited Liability Company)が AMD、Intel、Motorolaにより設立され、その後Micron、Infineon、IBMが加わり6社体制で組織的に進められてきました²⁾。欧州でもMEDEA＋ というプログラムで精力的にEUVリソグラフィの研究が進められています³⁾。日本では1998年から4年計画で、ASET厚木センターで EUVリソグラフィの要素技術研究プログラム^4）、および産総研でのEUV光源の基礎研究が行われてきました。近年の検討では EUVリソグラフィにおいて実用的なスループットを得るには、光源への要求は当初の想定に比べはるかに高出力化し、120 - 180 Wの EUV光源が必要となると予想されています。2002年5月に、50 nmテクノロジーノード以降の半導体製造に適用可能な光源、装置等から構成される 極端紫外線（EUV）露光システムを確立することを目的に、技術研究組合　極端紫外線露光システム技術開発機構 （Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association: EUVA）が2002年5月に活動をスタートしました。EUVAでは装置メーカ5社 （ウシオ電機、キヤノン、ニコン、コマツ、ギガフォトン）と半導体4社（東芝、日本電気、富士通、ルネサステクノロジ）の合計9社が推進母体となり、 2007年度にEUV露光用の試験研究露光装置の要素技術の完成を目標にEUVリソグラフィ光源と露光装置技術の開発を推進しています⁵⁾。さらに、 2003年からは文部科学省のリーディングプロジェクトの中でもEUV光源の研究が取り上げられ、大阪大学を中心にEUVプラズマ研究が理論、基礎研究の 面からも解明されています。

＜参考文献＞

1. 木下博雄：レーザー研究　第27巻　第1号、20 (1999)
2. D. A. Tichenor, W. C. Replogle, S. H. Lee, Intel Corp.; W. P. Ballard, G. D. Kubiak, L. E. Klebanoff, J. E. M. Goldsmith, J. B. Wronosky, L. C. Hale, H. N. Chapman, J. S. Taylor, K. A. Goldberg, P. Naulleau, EMERGING LITHOGRAPHIC TECHNOLOGIES VI (5−7 March 2002,Santa Clara, California, USA) [4688-06]
3. MEDEA+ホームページよりhttp://www.medeaplus.org/
4. 岡崎信次：応用物理　第69巻　第2号、196 (2000)
5. EUVAホームページよりhttp://www.euva.or.jp/index.html