GT66A

满足进一步技术要求的浸没式光刻光源

GT66A

 

最先进产品制造目前仍继续应用摩尔定律,技术节点日益微细化。这些最尖端产品对转印到晶圆上的曝光图案、特别是EPE(Edge Placement Error)具有很高的要求。作为光源通过降低直接影响EPE的CD LER/LWR(Line Edge Roughness/Line Width Roughness),为提高批量生产现场的成品率提供帮助。

新型浸没式曝光光源“GT66A”通过新开发的光学模块成功地将散斑对比度降低30%,减少了LER/LWR。还通过引入最新的高度耐用零件,将模块的维护周期延长30%。由此实现进一步改善工序成品率、提高光源的可用性,为最尖端节点批量生产的高生产性提供帮助。


主要特点

  1. 改善最尖端节点的成品率
    通过新开发的光学模块将散斑对比度降低30%,并实现了LER/LWR的改善。从而为光刻尖端节点批量生产的节点进一步改善提供帮助。
  2. 高水平的可用性
    还通过引入最新的高度耐用零件,将模块的维护周期延长30%。由此实现高水平的可用性,并有助于提高生产性。
  3. 提供可持续发展解决方案
    该光源标配无氦技术,除可以防备稀有气体供给不足的风险外,还能通过气体的消耗量削减技术实现更环保。

主要规格*
振荡波长 193 nm
输出 60-90W
振荡频率 6,000 Hz
光谱宽度(95%能量积分宽度-E95) 300 +/- 1.5fm wafer average
特点 减少EPE的解决方案
Continuous Reliability Improvement (CRI) Package
可持续发展解决方案
(*) 上述各规格值为代表值