2. 世界 EUV 光刻动向

以 13.5nm 极端远紫外光源(EUV: Extreme UltraViolet)为光源,运用反射式光学系统投影图样的 EUV 光刻技术,在 NTT 木下先生(现任教兵库县立大学)等人的提案下于日本展开研究。1)而在几乎同时期,美国贝尔研究室也展开 EUV 光刻技术的研究,1990 年代则移往桑迪亚国家实验室继续进行研究。1997 年,一个称为 EUVLLC(深紫外线有限责任合资公司;EUV Limited Liability Company)的机构在美国成立,展开正式的 EUV 光刻技术研究。2)受此机构设立的刺激,欧洲成立了 EUCLIDES(Extreme Ultraviolet Concept Lithography Development System),日本则有 ASET EUV 研究室的出现,研究就在日美欧三强鼎立局面之中进展着。3)4)其后,美国方面研究重心转移至半导体制造技术产业联盟(SEMATECH),于阿尔巴尼纳米研究中心(Albany Nanotech)与劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)内热烈进行着研究。5)欧洲方面另有 MEDEA+、新摩尔定律(More Moore)等研究计划热烈展开研究,成果目前由 EXEPT 这项计划承接执行中。期间内,曝光装置有 Zeiss、ASML 等公司积极进行研发,领导着实用性曝光装置开发的脚步。而在研发方面,于 IMEC 安装曝光实验装置,推动 EUV 实用技术的进展。我国则继 ASET 的 EUV 研究室后,于 2005 年起在 Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)进行正式研究。Selete 由尼康、佳能两公司分别开发曝光实验装置 EUV-1 与 SFET,进行光罩技术及光阻评价等各种研发工作。6)ASET 与 Selete 是以光罩、光阻等 EUV 实用技术的研发为中心;而为了开发光源技术及曝光装置技术,2001 年设立了 EUVA(极紫外线曝光系统既开发机构;Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association),展开光源与装置的研究。参加成员包含了装置制造商 5 家(尼康、佳能、小松制作所、优志旺、GIGAPHOTON),以及半导体制造商 4 家(东芝、日本电气、富士通、瑞萨电子)。此外,更自 2001 年起成立以大阪大学为中心组成的文部科学省 Leading Project,与 EUVA 密切配合进行研究。EUVA 的研究虽然在 2011 年 3 月宣告落幕,但光罩与光阻的研究则由承续几乎同一时期结束的 Selete 的株式会社 EUVL 基础开发中心(EIDEC:EUVL Infrastructure Development Center)(2011 年 5 月发起)这个组织继续进行研发。

  1. 木下等人:第 47 届应用物理学相关联合演讲年会汇刊 No.2 p322 (1986)
  2. C. Gwyn et al:J. Vac. Sci. Technol. B16 p.3142 (1998)
  3. J. P. H. Benschop et al:J. Vac. Sci. Technol. B17 p2978(1999)
  4. S. Okazaki:Proc. SPIE 3676 p238 (1999)
  5. S. Wurm et al:Proc. SPIE 6517 p651705 (2007)
  6. I. Mori et al:Proc. SPIE 6921 p692102 (2008)