1. 何谓 EUV 光刻?

EUV(极端远紫外光源,Extreme Ultraviolet 略称)光刻,是使用通称极端远紫外光源的极短波(13.5 nm)光线的光刻技术,能够加工至既有 ArF 准分子激光光刻技术不易达到的 20 nm 以下精密尺寸。1)EUV 光刻技术的实用化,必须研发光源、光学系统、光罩、光阻、曝光装置等各项要件技术,而激发具有极短波长 13.5 nm 的强力 EUV 光线的技术则是最大的课题。这种 EUV 光线可自高温、高密度电浆中取得。电浆的激发,分为对特定物质集中照射强烈激光束激发电浆的 Laser Produced Plasma(LPP)法,以及在特定物质环境内通过电极流通巨大电流制造电浆的 Discharge Produced Plasma(DPP)法等两种方式。由电浆产生的光线经聚光镜聚光,穿过通称中间焦点(IF: Intermediate Focus)的点,经照明光学系统整型后照亮反射型光罩。光罩反射后的 EUV 光,经投影光学系统成像于光阻,形成图样。(图 1)

目前的 EUV 光刻技术,包含光源在内已进入开发阶段,期盼能在数年内达到实用化。量产的必要光源强度要求虽为 200 W 以上,但实用面尚只达到 10 W 左右,强度偏低,目前急需大幅提升光源强度,并具备数个月内无需维修的高可靠度。2)

图 1 EUV 曝光装置模式图
图 1 EUV 曝光装置模式图(EUVA) 2)
出处:感谢 EUVA 提供下列数据

  1. )冈崎:光学 第41巻3号 p116-124 (2012)
  2. imec news,
    http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/euvsymposium2012.html