Gigaphoton採用EUV試驗光源將聚光鏡反射率降低-0.4%/Bpls

栃木縣小山市;2017年9月12日--(美國商業資訊)--半導體微影光源的主要供應商Gigaphoton株式會社發布公告,針對目前正在開發中的EUV曝光雷射等離子體光源(Laser Produced Plasma,LPP)光源,運用於最先進半導體量產製程上,試驗光源可將聚光鏡反射率降低-0.4%/Bpls,解決技術上的瓶頸取得重大進展。

今年夏天,Gigaphoton藉由使用磁場去除碎片的自主研發技術,針對氫氣流量進行最佳化的測試,利用裝載實聚光鏡的試驗光源進行壽命評估測試,得到了聚光鏡反射率下降-0.4%/Bpls的良好結果。

這一數值相當於3個月的聚光鏡壽命,這與4月份所做出的實驗數據(反射率下降-10%/Blps)相比,有了重大進展。

Gigaphoton副社長溝口計先生評論指出:「試驗光源技術成功應用於最先進半導體量產製程上,無疑是突破了重大技術瓶頸,這代表著EUV光源投入市場的距離又邁進了一步。今後,我們將繼續開發EUV光源技術,為半導體產業的發展做出貢獻。」

*本新聞稿的內容預計將在9/11-14日於加州蒙特里(Monterey)召開的SPIE光罩技術大會暨極紫外光微影會議(SPIE Photomask Technology + with EUV Lithography)上進行呈報。

*本次開發應用了國立研究開發法人「新能源・產業技術綜合開發機構(NEDO)」支援計畫的成果。

注)Gigaphoton根據對應EUV顯影量產工廠規格所設計的光源。別稱「高功率實證裝置」

 

Gigaphoton公司簡介

Gigaphoton公司成立於2000年,作為一家雷射器的供應商,自成立以來一直為全球的半導體生產廠商提供有價值的解決方案。目前Gigaphoton已取得專利的革命性技術LPP EUV解決方案在實現具有優秀成本效益和生產性的量產EUV掃描器的道路上發揮了先導性作用。Gigaphoton時刻以客戶為中心,從產品研發到生產、銷售及維護,為用戶提供業界最高水準的支援。更為詳細的介紹請您造訪:Welcome to Gigaphoton

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