GT66A

應对持续技術進歩要求的液浸用曝光光源技術

GT66A

 

至今,摩爾定律仍在最尖端製品製造領域繼續發展當中,藉此展開細微化的技術節點。這些最尖端設備當中,對轉印於晶圓上的曝光圖案、特別是EPE(Edge Placement Error)具有很高的要求。在作為光源上,透過減少直接影響EPE的CD LER/LWR (Line Edge Roughness/Line Width Roughness),以提升量產現場的產出良率。

新型液浸用曝光光源技術「GT66A」,藉由新開發的光學模組,成功降低30% 光斑對比,
並降低LER/LWR。另外,更藉由引進最新的高耐久性零件,使模組的保養維護週期延長了30%。藉此進一步改善製程產出良率,提升光源可用性,支援最尖端節點量產的高生產力。


主要特點

  1. 改善最尖端節點的產出良率
    藉由新開發的光學模組,減低30%光斑對比,進而改善LER/LWR。藉此,在微影製程的最尖端節點量產上,更進一步改善產出良率。
  2. 高水準的可用性
    藉由引進最新高耐久性零件,使模組的保養維護周期延長了30%。藉此實現高水準的可用性,有助於提升生產力。
  3. 提供可持續發展解決方案
    標準配備無氦氣技術的光源,除了為稀有氣體供應不足風險做好準備之外,還採用減少気体消耗量的環保技術。

主要規格*
振盪波長 193 nm
輸出 60-90W
振盪頻率 6,000 Hz
光譜寬度(95%能量累計-E95) 300 +/- 1.5fm wafer average
特點 減低EPE的解決方案
Continuous Reliability Improvement (CRI) Package
可持續發展解決方案
(*) 上述各規格值為代表值