4. sMPL(頻譜多重定位 LNM;Spectrum Multi-Positioning LNM)技術

由於CD隨半導體微型化而變小,形成接觸窗時的聚焦深度(DOF)變淺的問題浮上了檯面。GIGAPHOTON 為解決此一問題的方法之一,就是研發讓雷射光頻譜寬度大幅可變以擴張 DOF 的技術。
圖 10 顯示了使用曝光模擬器 prolith v9.3 改變頻譜寬度時的 DOF 變化。

相對既有 E95=0.3 pm 的頻譜寬度,當加粗至 E95=2.4 pm 時,獲得確保了既有 DOF 4.5倍以上的結果。

圖 10 頻譜性能與 DOF
圖 10 頻譜性能與 DOF

GIGAPHOTON 採用如下圖 11 所示之 LNM 內部切換模式的方式,研發出維持既有 E95=0.3 pm 的輸出不變,卻讓 E95 加粗至 2.4 pm 的技術。而當時的頻譜波形幾為近似,不致影響曝光機聚焦鏡的設計。


圖 11 頻譜可變方式與實際驗證的頻譜波形

此一技術經曝光裝置製造商、晶片製造商共同進行量產試驗,有效性已獲明證。