2. 全球 EUV 微影動向

以 13.5nm 極紫外線(EUV: Extreme UltraViolet)為光源,運用反射式光學系統投影圖樣的 EUV 微影技術,在 NTT 木下先生(現任教兵庫縣立大學)等人的提案下於日本展開研究。1) 而在幾乎同時期,美國貝爾研究室也展開 EUV 微影技術的研究,1990 年代則移往桑迪亞國家實驗室繼續進行研究。1997 年,一個稱為 EUVLLC(深紫外線有限責任合資公司;EUV Limited Liability Company)的機構在美國成立,展開正式的 EUV 微影技術研究。2) 受此機構設立的刺激,歐洲成立了 EUCLIDES(Extreme Ultraviolet Concept Lithography Development System),日本則有 ASET EUV 研究室的出現,研究就在日美歐三強鼎立局面之中進展著。3) 4) 其後,美國方面研究重心轉移至半導體製造技術產業聯盟(SEMATECH),於阿爾巴尼奈米研究中心(Albany Nanotech)與勞倫斯伯克利國家實驗室(LBNL)內熱烈進行著研究。5) 歐洲方面另有 MEDEA+、新摩爾定律(More Moore)等研究計畫熱烈展開研究,成果目前由 EXEPT 這項計畫承接執行中。期間內,曝光裝置有 Zeiss、ASML 等公司積極進行研發,領導著實用性曝光裝置開發的腳步。而在研發方面,於 IMEC 安裝曝光實驗裝置,推動 EUV 實用技術的進展。我國則繼 ASET 的 EUV 研究室後,於 2005 年起在 Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)進行正式研究。Selete 由尼康、佳能兩公司分別開發曝光實驗裝置 EUV-1 與 SFET,進行光罩技術及光阻評價等各種研發工作。6) ASET 與 Selete 是以光罩、光阻等 EUV 實用技術的研發為中心;而為了開發光源技術及曝光裝置技術,2001 年設立了 EUVA(極紫外線曝光系統既開發機構;Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association),展開光源與裝置的研究。參加成員包含了裝置製造商 5 家(尼康、佳能、小松製作所、優志旺、GIGAPHOTON),以及半導體製造商 4 家(東芝、日本電氣、富士通、瑞薩電子)。此外,更自 2001 年起成立以大阪大學為中心組成的文部科學省 Leading Project,與 EUVA 密切配合進行研究。EUVA研究于2011年3月发表,但是继SCelete之后的EUVL基础开发中心(EIDEC: EUVL Infrastructure Development Center)继续进行光掩模和光刻胶的研究。(EIDEC于2019年3月31日解散。)

  • 1) 木下等人:第 47 屆應用物理學關係聯合演講年會彙刊 No.2 p322 (1986)
  • 2) C. Gwyn et al: J. Vac. Sci. Technol. B16 p.3142 (1998)
  • 3) J. P. H. Benschop et al: J. Vac. Sci. Technol. B17 p2978 (1999)
  • 4) S. Okazaki: Proc. SPIE 3676 p238 (1999)
  • 5) S. Wurm et al: Proc. SPIE 6517 p651705 (2007)
  • 6) I. Mori et al: Proc. SPIE 6921 p692102 (2008)