1. 何謂 EUV 微影?

EUV(極紫外線,Extreme Ultraviolet 略稱)微影,是使用通稱極紫外線之極短波(13.5 nm)光線的微影技術,能夠加工至既有 ArF 準分子雷射光微影技術不易達到之 20 nm 以下精密尺寸。1)EUV 微影技術的實用化,必須研發光源、光學系統、光罩、光阻、曝光裝置等各項要件技術,而激發具有極短波長 13.5 nm 之強力 EUV 光線的技術則是最大的課題。此種 EUV 光線可自高溫、高密度電漿中取得。電漿的激發,分為對特定物質集中照射強烈雷射光束激發電漿的 Laser Produced Plasma(LPP)法,以及在特定物質環境內透過電極流通巨大電流製造電漿的 Discharge Produced Plasma(DPP)法等兩種方式。由電漿產生的光線經聚光鏡聚光,穿過通稱中間焦點(IF: Intermediate Focus)的點,經照明光學系統整型後照亮反射型光罩。光罩反射後的 EUV 光,經投影光學系統成像於光阻,形成圖樣。(圖 1)

目前的 EUV 微影技術,包含光源在內已進入開發階段,期許能在數年內達到實用化。量產的必要光源強度要求雖為 200 W 以上,但實用面尚只達到 10 W 左右,強度偏低,目前急需大幅提升光源強度,並具備數個月內無需維修的高可靠度。2)

圖 1 EUV 曝光裝置模式圖
圖 1 EUV 曝光裝置模式圖(EUVA) 2)
出處: 感謝 EUVA 提供下列資料

  1. )岡崎:光學 第41巻3號 p116-124 (2012)
  2. imec news,
    http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/euvsymposium2012.html