OYAMA, JAPAN — February 28, 2011 — Gigaphoton Inc., a major lithography light source manufacturer, today announced that the company has demonstrated the highest conversion efficiency (CE) in producing extreme ultraviolet (EUV) light from tin plasma – a major milestone leading to a highly efficient and cost effective source. The company also stated its new EUV factory came online a year ago. Gigaphoton’s first commercial system has been built, is in integration testing and will ship later this year.

The demonstrated CE is 3.3% percent, marking the highest figure ever reported on small tin droplets. The droplets are less than 20 mm (micrometers) in diameter. This advanced performance is a direct result of the company’s unique design concept to use a short-wavelength laser “pre-pulse” before the main laser irradiates the target droplet. This achievement demonstrates proof of concept of Gigaphoton’s engineering approach to a high power EUV light source, while maintaining clean operation within the chamber/vessel. Details of the breakthrough will be presented at the 2011 SPIE Advanced Lithography Conference—a premier, annual conference for advanced lithography technology.  These published results further demonstrate the effectiveness of Gigaphoton’s enabling EUV light source technology.  The 2011 SPIE Advanced Lithography Conference and Exhibition will be held February 27-March 3 at the San Jose Convention Center, San Jose, Calif.

One of the biggest challenges facing EUV lithography tools is the ability to achieve scalable, high output power, critical to high-volume production applications, while maintaining low cost of operation with superior tin debris mitigation.  As a result of years of development work in laser produced plasma (LPP) EUV technology, Gigaphoton is able to present this major breakthrough in high CE as well as production readiness of its first commercial source shipping this year. This work is a continuation of Gigaphoton’s successful development and fielding of the GigaTwin, a laser for ArF immersion, the industry’s working solution until EUV technology becomes mainstream.

“The success of this combination of technologies validates Gigaphoton’s expertise in developing solutions that overcome critical industry obstacles to further ensure the adoption of EUV lithography,” said Dr Yuji Watanabe, president of Gigaphoton. “The company is poised to tackle the EUV market head-on.  To this end, we continue to aggressively invest in our infrastructure, while simultaneously ramping operations within our state-of-the-art factory for EUV light source production.  As a result, Gigaphoton is strategically positioned to take advantage of the myriad opportunities provided by EUV lithography.”

Members of the press that would like to schedule a meeting with Gigaphoton’s executives during the conference may contact Angie Kellen at: akellen@mcapr.com or phone: 650-968-8900 ext. 120; otherwise, the media are encouraged to drop by Gigaphoton’s Booth  #119 or attend any of the paper presentations listed below.

 

Oral Presentations at SPIE Advanced Lithography Conference
100W 1st generation laser-produced plasma source system for HVM EUV lithography
Tuesday, March 1 at 8:00 a.m.

Paper 7969-7 of Conference 7972

Ecology and high-durability injection locked laser with flexible power for double-patterning ArF immersion lithography  
Thursday, March 3 at 5:10 p.m. – 5:30 p.m.
Paper 7973-55 of Conference 7973

Paper Presentations at SPIE Advanced Lithography Conference:
Characterization and optimization of tin particle mitigation and EUV conversion efficiency in a laser-produced plasma EUV light source  
Wednesday, March 2 at 6:00 p.m.
Paper 7969-100 of Conference 7969

Development of the reliable 20-kW class pulsed carbon dioxide laser system for LPP EUV light source 
Wednesday, March 2 at 6:00 p.m.

Paper 7969-99 of Conference 7969

About Gigaphoton
Since its foundation in 2000, Gigaphoton develops and delivers user-friendly, highly-performing DUV laser light sources used at major semi-conductor chipmakers around the world.  Today, Gigaphoton ArF and KrF technology leads the Pan-Asian DUV laser market and continues to expand throughout the US and European regions.

As semiconductor manufacturers continue their progress toward next-generation devices, Gigaphoton’s unique and innovative LPP EUV technology solutions will lead the way to a cost effective, highly productive lithography source for high volume production.  With a global business outlook, Gigaphoton strives to be the semiconductor industry’s preferred lithography light source provider, focusing on end-user needs in every phase of its business from research and development to manufacturing to best-in-class reliability and world class customer support.

 

More information about Gigaphoton can be found on the company’s website athttp://www.gigaphoton.com.

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The company name and logo are trademarks of Gigaphoton, Inc.  The content of this release may be revised without prior notice.  Gigaphoton shall not be liable for updating or announcing a correction if the content of this release is changed for any reason in the future.

©2011 Gigaphoton.

ギガフォトン株式会社(本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 渡辺裕司、
http://www.gigaphoton.com/)は、すず(Sn)のプラズマからの極端紫外光(EUV)の生成において3.3%の変換効率(CE)を実証したと発表しました。これにより、高出力と低ランニングコストを達成する画期的なEUV光源が実現可能になります。この技術を搭載する最初の量産製品は既に組み立てが完了し、2011年の後半の出荷を予定しています。

今回実証されたCEは 3.3パーセントで、直径20 μm(マイクロメータ)未満のすずの小径ドロップレットでこれまでに報告された中で最も高い数値です(注1)。この数値はメインレーザがターゲットであるすずのドロップレットを照射する前に、短波長レーザのレーザ照射により最適プラズマ生成条件を作り出す、ギガフォトン独自の設計コンセプトにより実現しました。これは、光源チャンバ内での清浄な運転を維持すると同時に高出力のEUV光源を可能にする、ギガフォトンの極めて高度なエンジニアリング手法を実証するものです。ギガフォトンは、当社のEUV光源技術の有効性を一層確かなものとするこの技術革新の詳細を、最新リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2011」(2月27日~3月3日、カリフォルニア州サンノゼ・コンベンション・センターとサンノゼ・マリオットホテルで開催)で発表する予定です(注2)。

EUVリソグラフィ用光源が直面する大きな技術課題は、量産アプリケーションで重要となる高出力パワーの達成です。もちろん、これは出力と相反して増加するすずのデブリによるミラーへの影響を緩和して低コストの運転を維持しつつ達成しなければ意味がありません。レーザ生成プラズマ(LPP)EUV技術に対する長年の研究・開発により、ギガフォトンはこれらの技術課題を克服する技術の飛躍的な進歩と同時に、2011年に出荷を予定している最初の量産システムの生産を着実に進めてまいりました。

ギガフォトン代表取締役社長の渡辺裕司はこうコメントしています。「私たちは当初より独自の設計コンセプトに基づいて、EUVリソグラフィ光源の技術課題に正面から取り組んできました。今回の実証データはギガフォトンの設計とそのエンジニアリングの優秀性を示してくれました。同時にギガフォトンはEUVリソグラフィ光源市場に参入するために、引き続きインフラの整備に積極的に投資する一方で、同時に当社の2010年3月から稼働を開始しているEUV光源生産専用の最先端工場での操業を本格化します。」。

 

SPIE Advanced Lithography 2011におけるギガフォトンの発表予定

SPIE Advanced Lithography コンファレンスでのプレゼンテーション発表 
100W 1st generation laser-produced plasma source system for HVM EUV lithography
3月1日(火)8:00 a.m.
コンファレンス7972の論文7969-7

SPIE Advanced Lithography コンファレンスでのポスター発表 
Characterization and optimization of tin particle mitigation and EUV conversion efficiency in a laser-produced plasma EUV light source  
3月2日(水)6:00 p.m.
コンファレンス7969の論文7969-100

Development of the reliable 20-kW class pulsed carbon dioxide laser system for LPP EUV light source  
3月2日(水)6:00 p.m.
コンファレンス7969の論文 7969-99

SPIE Advanced Lithography コンファレンスでのプレゼンテーション発表 
Ecology and high-durability injection locked laser with flexible power for double-patterning ArF immersion lithography  
3月3日(木)5:10 p.m. – 5:30 p.m.
コンファレンス7973の論文 7973-55

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(注1) ギガフォトン社調べ
(注2) 今回発表する本技術開発にはEUVAでの研究開発成果を一部使用しています。

 

ギガフォトン株式会社は2000年の設立以来、世界に先がけて次々と半導体リソグラフィ装置向け最新鋭エキシマレーザを製品化し、ギガビット世代の超微細集積回路に対応するリソグラフィ技術の発展に貢献しています。ギガフォトンは、世界トップクラスの露光用エキシマレーザメーカーとして、日本を含むアジア市場ではほとんど全ての半導体メーカーで製品が使用されているほか、欧米市場でも急成長を続けています。

社名、ロゴは、株式会社ギガフォトンの商標です。記載内容は予告なしに変更される場合があります。ギガフォトンは、プレスリリースの記載内容が将来の諸事由で変更された場合、内容の更新または訂正発表する責任を持ちません。©2011 ギガフォトン

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ギガフォトン株式会社  経営企画室 高久 賢次
TEL: 0285-28-8410 Email: kenji_takahisa@gigaphoton.com

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ギガフォトン株式会社 営業本部業務部 香月 裕
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