1. EUVリソグラフィとは?

EUV(Extreme Ultravioletの略)リソグラフィとは、極端紫外線と呼ばれる非常に短い波長(13.5 nm)の光を用いるリソグラフィ技術で、従来のArFエキシマレーザ光を用いた光リソグラフィ技術では加工が難しい20 nmより微細な寸法の加工が可能となります。1)EUVリソグラフィ技術の実用化には、光源、光学系、マスク、レジスト、露光装置 など、様々な要素技術の開発が必要ですが、中でも13.5 nmという非常に短い波長を持ち、強力なEUV光を発生させる技術が、最大の課題です。このEUV光は、高温、高密度のプラズマから取り出すことが可能で す。プラズマの発生方法としては、特定の物質に強いレーザ光を集光してプラズマを作るLaser Produced Plasma(LPP)法と、特定の物質雰囲気中で電極間に大電流パルスを流してプラズマを作るDischarge Produced Plasma(DPP)法の2つの方式があります。プラズマから出た光は、集光ミラーで集められ、中間集光点(IF: Intermediate Focus)と呼ばれる点を通って照明光学系で整形され反射型のマスクを照明します。マスクで反射したEUV光は、投影光学系を介してレジスト上に結像 し、パターンを形成します。(図1)

現在EUVリソグラフィ技術は、光源を含め開発途上で、数年の内に実用化されることが期待されています。量産時に必要な光源強度としては200 W以上が要求されておりますが、まだ実用レベルで10 W程度と強度が低く、大幅な光源強度の向上と数ヶ月間メンテナンスが不要となる高い信頼性が求められております。2)

図1 EUV露光装置の模式図
図1 EUV露光装置の模式図(EUVA) 2)
出典: EUVAのご好意による

  1. )岡崎:光学 第41巻3号p116-124 (2012)
  2. imec news,
    http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/euvsymposium2012.html