进化浸没光刻光源推动光刻性能
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在最先进的设备制造中，除了要进行扩展，还需要高生产力。这些最先进的设备必须满足转移到晶圆上的光刻图案的要求，特别是EPE（边缘定位误差）和高生产力。作为光源，GT80A通过减少直接影响EPE的CD LER / LWR（关键尺寸线边缘粗糙度/线宽粗糙度），在大规模生产现场提供了改善的产量。
新型浸没式光刻光源“GT80A”成功地通过新开发的模块将重复率提高了12.5%。与GT65相比，这导致了36%的斑点对比度减小，并进一步降低了LWR / CDU（关键尺寸均匀性）。这些进展使工艺产量进一步提高，并支持在最先进节点的生产中实现高生产力。
主要特点
与最先进的节点相比，提高产量
GT80A通过提高重复率和应用新的光学模块，将斑点对比度降低了36％，并改善了LER / LWR。这些进展将提高光刻中领先节点的产量。
高可用性水平
GT80A采用新开发的模块，实现了增强的重复率。这将为生产领先节点提供更高的产量。
提供可持续解决方案
GT80A采用无氦技术，是一种环保的光源，可以减少稀有气体供应短缺的风险，并利用技术降低能源消耗。
一般规格
| 项目 | 数值* |
|---|---|
| 波长 | 193 nm |
| 输出功率 | 60 – 90 W |
| 重复率 | 6,750 Hz |
| 谱宽度 （95％积分能量 – E95） | 300 +/- 1.5 fm wafer average |
| 特点 | 降低EPE的解决方案 重复率改善 可持续解决方案 |
