本加工事例では、ArFエキシマレーザを用いて、SiC‑CMC（炭化ケイ素セラミック基複合材料）に対し、入口側が四角形状、出口側が丸形状となるシェイプドホールを斜めに加工した事例を紹介します。

 加工サンプルには、ポリマー含浸焼成法（PIP法）で作製したSiC‑CMCの平板を用い、サンプル表面を光軸に対して20度傾けた状態で加工を行いました。

　サンプル表面での形状は、入口側が四角形状、出口側が円形状であることが分かります。入口側・出口側ともに、長軸と短軸の比はおよそ3:1であり、レーザの入射角20度と整合しています。

　断面画像は、加工サンプルを樹脂包埋し、加工穴中央部で切断して観察したものです。加工穴はサンプル表面に対して20度の角度で形成されており、レーザ入射方向に沿って加工されていることが確認できます。

さらに、加工穴内壁の形状についても、入口側付近では四角形状、出口側付近では円形状となっており、入口と出口で形状が異なるシェイプドホールが形成されていることが分かります。