OYAMA, JAPAN: July 3, 2012 — Gigaphoton, Inc., a major lithography light source manufacturer, announced its latest EUV Conversion Efficiency (CE) results. These data show a maximum of 5.2% CE, with an average of 4.7%, while producing extreme ultraviolet (EUV) energy from tin (Sn) plasma. The industry target is 5.0% CE required for the first generation, production EUV scanner. Gigaphoton has set a new industry CE record (Note 1) for a second time with its proprietary pre-pulse laser technique, reaching a major milestone to building a light source of higher power and lower running cost for high volume manufacturing.

The demonstrated values were achieved with Gigaphoton’s proprietary design, in which the LPP light source releases optimum EUV energy from the plasma by first irradiating a droplet of Sn with a short-wavelength, solid state laser as a pre-pulse, then irradiating the enlarged droplet with the main-pulse CO₂ laser. This maximum CE of 5.2% was achieved with 150 mJ CO₂ laser energy. It would be equivalent to 175 W EUV output at 100 kHz CO₂ laser frequency.

Gigaphoton has been working on the development of laser-produced plasma (LPP) light sources for EUV lithography with unique technologies in pursuit of higher output and better CoO since 2002. It has proposed a number of unique solutions, including on-demand supply of Sn target droplets of less than 20 µm diameter, an optimum combination of the short-wavelength solid state laser pre-pulse and the main CO₂ laser pulse, as well as debris mitigation and removal using magnetic fields to protect the collector mirror. This achievement of production-level CE is a significant step toward initial shipment of a mass production model.

“We have succeeded in demonstrating the highest CE in the industry with our proprietary technology. This confirms our R&D path to manufacture a mass-production LPP source that ensures stable operation at higher output and lower running cost. I believe this will further increase momentum for device manufacturers to introduce EUV lithography tools as the next-generation lithography technology. To respond to the request for shipment of the EUV source, we at Gigaphoton have focused on R&D to prepare for our entry into the EUV business.” said Hitoshi Tomaru, president of Gigaphoton.

About Gigaphoton
Since its founding in 2000, Gigaphoton has developed and delivered user-friendly, high-performance DUV laser light sources used by major semiconductor chipmakers in the Pan-Asian, US and European regions.

Gigaphoton’s patented, innovative LPP EUV technology solutions will lead the way to a cost-effective, highly productive lithography source for high-volume production. With a global business outlook, Gigaphoton strives to be the world’s number one lithography light source provider, focusing on end-user needs in every phase of its business, from research and development to manufacturing to best-in-class reliability and world-class customer support.

(Note 1) Source: Gigaphoton Inc.

ギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 都丸 仁）は、EUV露光用LPP光源(以下LPP光源)において、変換効率(CE; Conversion Efficiency)最高5.2％でのEUV発光を実証したと発表しました。今回実証されたCEは、ターゲットとしてドロップレットを用いた LPP光源でこれまでに報告された中で業界最高の数値です(注1)。これにより、高出力、低ランニングコストで安定に稼働する、画期的なLPP光源が実現可能となります。ギガフォトンでは、今回の実証結果を折り込み、より効率の高いLPP 光源の開発・生産に結びつけます。

今回のCEの達成は、メインパルスである炭酸ガス(CO₂)レーザーをターゲットであるすず(Sn)ドロップレットに照射する前に、プリパルスとして短波長の個体レーザーを照射し最適なプラズマ生成条件を作り出す、ギガフォトン独自の設計コンセプトにより実現したものです。メインパルスレーザーエネルギーのドロップレットへの吸収効率を高めるため、プリパルスレーザーのパラメータを最適化し、150mJのCO₂レーザー照射にて、発光点で最大7.8mJ、平均7.1mJを達成しました。これは、CEとして最大5.2%、平均4.7％に相当します。また、LPP光源としては、量産機折り込み時に換算し175Wに相当した出力となります。

ギガフォトンは2002年から、高出力と安定性・経済性を追求した独自技術によるLPP光源の開発に取り組んでおり、20μm以下の微小ドロップレットのオンデマンド供給、短波長の固体レーザーによるプリパルスとCO₂レーザーによるメインパルスの組み合わせ、磁場を使ったデブリ除去などユニークな方式を提案してきました。ギガフォトンでは今回のCE達成を、ギガフォトンの高い技術力を証明すると共に、製品出荷へ向けての大きな一歩と位置づけています。

ギガフォトンの提案する高CE技術は、短波長の固体レーザーによるプリパルスとCO₂レーザーによるメインパルスの最適な組み合わせにより、高いCEを実現すると同時に、Snフラグメント(微小粒)、中性Sn原子の発生を抑制し、ドロップレット中のSnを高効率にイオン化可能とします。イオン化されたSnは、Snキャッチャーへ電磁力でガイドすることで除去し、コレクタミラーへの付着と損傷を最小限に抑えます。

ギガフォトン代表取締役社長の都丸仁はこうコメントしています。「当社の独自技術を用いたLPP光源で業界最高のCEを確認できました。これは、当社の高い技術力を証明すると共に、市場の求める高出力、低ランニングコストで安定的に稼働するLPP光源が実現可能であることを意味します。これにより、次世代露光技術としてのEUV露光装置導入の機運を一層高めるものと期待しています。ギガフォトンは、市場からのLPP光源出荷への要請に応えるため、技術開発に注力すると共に、EUVビジネスへの参入準備を着々と進めています」。

(注1)ギガフォトン社調べ

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ギガフォトン株式会社（http://www.gigaphoton.com）は2000年の設立以来、世界トップクラスの露光用エキシマレーザーメーカーとして、日本を含むアジア市場、欧米市場の大手半導体メーカー各社に製品が採用されています。また、次世代のリソグラフィ技術として注目されているEUV光源に関しても、ギガフォトンの革新的な独自技術「LPP EUV」ソリューションは、次世代デバイスの量産での低コスト化、高生産化を実現する技術として、世界中の半導体メーカーから高い注目を集めています。ギガフォトンは、世界一のリソグラフィ光源メーカーを目指し、研究開発から製造・顧客サポートに至るすべての分野で常に顧客の要求に最優先で取り組んでいます。

社名、ロゴは、株式会社ギガフォトンの商標です。記載内容は予告なしに変更される場合があります。ギガフォトンは、プレスリリースの記載内容が将来の諸事由で変更された場合、内容の更新または訂正発表する責任を持ちません。©2012 ギガフォトン

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